收藏本站
New Product
Si2300DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 130 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?65701 .
www.vishay.com
6
Document Number: 65701
S10-0111-Rev. A, 18-Jan-10
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
SI2303BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
SI2304BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
SI2305ADS-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
SI2305DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
相关代理商/技术参数
SI2301 功能描述:MOSFET -20V -2.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2301_11 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI23015S99 制造商:ABB Control 功能描述:STARTER STAR DELTA 15W 230V
SI2301ADS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI2301ADS-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.0A 0.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2301ADS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 2.0A 0.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2301ADS-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI2301BD 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET